Porcellana Multiplicatori di frequenza

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  DF650R17IE4

  Categoria di prodotto::Moduli di IGBT

  Produttore::Tecnologie Infineon

  Descrizione:Moduli IGBT Moduli IGBT 1700V 650A

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  DD800S33K2C

  Configurazione::Parallelo doppio

  Categoria di prodotto::Moduli di IGBT

  Temperatura massima di funzionamento::+ 125 C

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  F3L30R06W1E3_B11

  Corrente di perdita dell' emittente della porta::Na 400

  Categoria di prodotto::Moduli di IGBT

  Corrente continua del collettore a 25 ° C::45 A

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  FS35R12YT3

  Categoria di prodotto::Moduli di IGBT

  Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::1200 V

  Confezione / Valigia::EASY2

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  BSM200GA120DLCS

  Corrente di perdita dell' emittente della porta::Na 400

  Categoria di prodotto::Moduli di IGBT

  Corrente continua del collettore a 25 ° C::370 A

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  BCX53-16 E6327

  Polarità del transistor::PNP

  Categoria di prodotto::Transistor bipolari - BJT

  Stile di montaggio::SMD/SMT

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  BCW66KH B6327

  Polarità del transistor::NPN

  Categoria di prodotto::Transistor bipolari - BJT

  Corrente massima del collettore di corrente continua::0,8 A

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  2SC4116SU-Y,LF

  Polarità del transistor::NPN

  Categoria di prodotto::Transistor bipolari - BJT

  Stile di montaggio::SMD/SMT

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  2SC4738-Y ((T5L,F,T)

  Polarità del transistor::NPN

  Categoria di prodotto::Transistor bipolari - BJT

  Stile di montaggio::SMD/SMT

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  HN1B01F-Y(TE85L,F)

  Polarità del transistor::PNP

  Categoria di prodotto::Transistor bipolari - BJT

  Stile di montaggio::SMD/SMT

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  P1553AB60RP

  Corrente di perdita fuori stato @ VDRM IDRM::5uA

  Voltaggio in stato attivo::8 V

  Categoria di prodotto::Sidac

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  A2106UA3RP

  Corrente di perdita fuori stato @ VDRM IDRM::5uA

  Voltaggio in stato attivo::8 V

  Categoria di prodotto::Sidac

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